DC โลหะบริสุทธิ์แมกนีตรอนสปัตเตอร์ทับถมเครื่อง ทองแดง/เงิน/ทอง/กราไฟท์บางพิเศษเครื่องสะสมฟิล์ม
ประสิทธิภาพ
1. แรงดันสุญญากาศขั้นสูงสุด: ดีกว่า 5.0×10-6ธอร์.
2. แรงดันสุญญากาศในการทำงาน: 1.0×10-4ธอร์.
3. เวลาสูบน้ำ: ตั้งแต่ 1 atm ถึง 1.0×10-4Torr≤ 3 นาที (อุณหภูมิห้อง, แห้ง, ห้องสะอาดและว่างเปล่า)
4. วัสดุที่เป็นโลหะ (สปัตเตอร์ + การระเหยอาร์ค): Ni, Cu, Ag, Au, Ti, Zr, Cr เป็นต้น
5. รุ่นการทำงาน: เต็มอัตโนมัติ / กึ่งอัตโนมัติ / ด้วยตนเอง
โครงสร้าง
เครื่องเคลือบสูญญากาศประกอบด้วยระบบคีย์ที่สมบูรณ์ตามรายการด้านล่าง:
1. ห้องสุญญากาศ
2. ระบบปั๊มสุญญากาศ Rouhging (แพ็คเกจปั๊มสำรอง)
3. ระบบปั๊มสุญญากาศสูง (ปั๊มโมเลกุลแขวนลอยด้วยแม่เหล็ก)
4. ระบบควบคุมและใช้งานไฟฟ้า
5. ระบบสิ่งอำนวยความสะดวกเสริม (ระบบย่อย)
6. ระบบการสะสม
คุณสมบัติหลักของเครื่องเคลือบทองแดงสปัตเตอร์
1. พร้อมกับแคโทดอาร์ค 8 ตัวและ DC Sputtering Cathodes, MF Sputtering Cathodes, Ion source unit
2. มีการเคลือบหลายชั้นและเคลือบร่วม
3. แหล่งไอออนสำหรับการเตรียมการทำความสะอาดด้วยพลาสมาและการทับถมด้วยไอออนบีมเพื่อเพิ่มการยึดเกาะของฟิล์ม
4. พื้นผิวเซรามิก / Al2O3 / AlN เครื่องทำความร้อน;
5. ระบบการหมุนและหมุนพื้นผิวสำหรับการเคลือบ 1 ด้านและการเคลือบ 2 ด้าน
โรงงานเคลือบคูเปอร์แมกนีตรอนสปัตเตอร์บนพื้นผิวการแผ่รังสีเซรามิก
กระบวนการ DPC - ทองแดงชุบโดยตรงเป็นเทคโนโลยีการเคลือบขั้นสูงที่ใช้กับอุตสาหกรรม LED / เซมิคอนดักเตอร์ / อิเล็กทรอนิกส์การใช้งานทั่วไปอย่างหนึ่งคือ Ceramic Radiating Substrate
การสะสมฟิล์มนำไฟฟ้าของคูเปอร์บนพื้นผิว Al2O3, AlN ด้วยเทคโนโลยีการสปัตเตอร์สูญญากาศ PVD เมื่อเทียบกับวิธีการผลิตแบบดั้งเดิม: DBC LTCC HTCC ต้นทุนการผลิตที่ต่ำกว่ามากเป็นคุณสมบัติที่สูง
ทีมเทคโนโลยีของ Royal ได้ช่วยเหลือลูกค้าของเราในการพัฒนากระบวนการ DPC อย่างประสบความสำเร็จด้วยเทคโนโลยี PVD sputtering
เครื่อง RTAC1215-SP ออกแบบมาเฉพาะสำหรับการเคลือบฟิล์มนำไฟฟ้าทองแดงบนชิปเซรามิก แผงวงจรเซรามิก
โปรดติดต่อเราเพื่อขอรายละเอียดเพิ่มเติม Royal Technology รู้สึกเป็นเกียรติที่ได้นำเสนอโซลูชั่นการเคลือบแบบครบวงจรแก่คุณ
